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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

Documents en texte intégral

327

Notices

450

Statistiques par discipline

Mots clés

Doping Bullseye antennas 6H-SiC Photoluminescence Aluminum nitride Compressive stress Atomic force microscopy High electron mobility transistor Chemical vapor deposition processes Caractérisation Defects Silicon Gallium nitride Free-standing GaN Characterization AlN Metasurfaces Electron holography Silica Group III-nitrides Schottky barrier diode Microcavity Gallium nitride GaN Metalens Spectroscopy Heterostructures Nanoparticles Boîtes quantiques High electron mobility transistor HEMT Épitaxie par jets moléculaires Normally-off 2D materials Quantum wells ZnO Nitrure de gallium III-nitrides High electron mobility transistors LPCVD Aluminum gallium nitride Molecular beam epitaxy MBE Quantum dots LEDs Millimeter-wave power density Light emitting diodes Electrical properties and parameters Boron nitride Transmission electron microscopy Metasurface AlGaN Semiconductors GaN-on-Si AlGaN/GaN GaN LED Molecular beam epitaxy CRYSTALS MOCVD Al Semiconducteurs DLTFS Tunnel junction Selective area growth Creep CVD Cathodoluminescence Bond order wave 3C–SiC Zinc oxide Traps Diffraction Chemical vapor deposition Bending Optical properties HEMT Épitaxie Croissance Nanowire AlGaN/GaN HEMT Holography III-N Dislocations GaN HEMT Strong coupling Epitaxy Microscopie électronique en transmission Nitrides Excitons Nitrures d'éléments III Contraintes MBE Graphene III-nitride semiconductors Atom probe tomography Diodes électroluminescentes Nanostructures Transistor Silicium Coalescence Silicon carbide InGaN